Samsung údajně ještě tento měsíc představí ne tři, ale čtyři členy své řady Galaxy S25, přičemž korejský gigant poprvé uvede do této rodiny přídomek „Slim“. Důkazy o tomto konkrétním modelu byly spatřeny v nejnovějším úniku benchmarku, přičemž údajný Galaxy S25 Slim byl testován s nejnovějším a nejlepším čipsetem Qualcomm, Snapdragonem 8 Elite.
Působivé je, že navzdory štíhlému provedení chystané vlajkové lodi se ukazuje, že SoC je vybaven výkonnými jádry pracujícími na o něco vyšší frekvenci, ale bohužel výsledky, kterých telefon dosáhl, jsou propastné.
Galaxy S25 Slim dosahuje slušného skóre u jednoho jádra, ale v kategorii vícejádrových procesorů selhává
Modelové číslo Galaxy S25 Slim je identifikováno jako SM-S937U a stejně jako základní Galaxy S25, který byl testován s 12 GB RAM, i tento telefon disponuje přesným počtem paměti. Dvě výkonná jádra, která jsou součástí klastru Snapdragon 8 Elite, údajně fungují na frekvenci 4,47 GHz, přičemž efektivní jádra jsou uváděna na frekvenci 3,53 GHz. Pokud jde o specifikace, vnitřní výbava Galaxy S25 Slim zůstává oproti zbytku řady nezměněna, přičemž nejvyšší model Galaxy S25 Ultra bude údajně jako jediná verze dodáván s 16 GB RAM.
Papírové specifikace však nejsou jedinými ukazateli, na kterých záleží při měření výkonu, protože Galaxy S25 Slim nedosahuje v testech Geekbench 6 v oblasti vícejádrových procesorů lepších výsledků. V jednojádrovém běhu získá zařízení skóre 3 005 bodů, což je sice více, než kolik Galaxy S25 dosáhl v předchozím úniku, ale je to v rámci chyby. Zřejmým viníkem těchto podprůměrných výsledků je elegantní obal Galaxy S25 Slim, který nutí komponenty jako Snapdragon 8 Elite k rychlému zahřívání.
Vzhledem k tomu, že se společnost Samsung chystá 22. ledna představit novou řadu, budeme mít lepší představu o tom, jak si všechny čtyři modely vedou, když projdou řadou testů.