Důležitým vylepšením specifikací, které Samsung zřejmě zavádí u všech modelů Galaxy S25, je standardní velikost paměti RAM 12 GB pro celou řadu, která se u řady Galaxy S24 zvýšila z 8 GB. Tato změna bude významná pro efektivní běh modelů s umělou inteligencí na zařízení spolu s multitaskingem, ale podle nejnovější zprávy není zvýšení počtu pamětí RAM jediným vylepšením, které Korejci přinášejí.
Na základě nejnovějších informací si všechny modely Galaxy S25 zachovají podporu pamětí LPDDR5X, ale tyto čipy budou masově vyráběny na vylepšené litografii, což povede ke zvýšení efektivity a výkonu.
Vlastní technologie Samsungu trpěla problémy s přehříváním
Qualcomm Snapdragon 8 Elite není jedinou komponentou, kterou Samsung využije při oficiálním představení své řady Galaxy S25. Elec uvádí, že společnost bude od Micronu odebírat také 12nm čipy LPDDR5X RAM. Litografie se zlepšila z 13nm na 12nm, což přináší pozitivní změny v oblasti výkonu, účinnosti a plochy. Pokud jde o důvod, proč Samsung do rodiny Galaxy S25 nezařadí vlastní 12nm čipy LPDDR5X RAM, zpráva zmiňuje, že korejský gigant se u své technologie potýkal s problémy s přehříváním, což jej donutilo zajistit počáteční dodávky od společnosti Micron.
Ačkoli Samsung údajně problém vyřešil, bylo nutné zajistit počáteční dodávku od třetího subjektu, jinak by společnost byla nucena odložit uvedení Galaxy S25 na trh a ztratit jakoukoli výhodu. Získávání zdrojů od více dodavatelů je praxe, kterou uplatňuje několik společností, aby nenarušily dodavatelský řetězec a také aby si díky zvýšení konkurence zajistily lepší ceny komponent.
Samsung bohužel v této oblasti zaostává, a proto bude jeho řada Galaxy S25 uvedena na trh výhradně s procesorem Snapdragon 8 Elite a nebude obsahovat Exynos 2500. Chystané vlajkové lodě mají být oznámeny 22. ledna, takže tehdy budeme mít pro naše čtenáře více podrobností, takže zůstaňte naladěni.